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在掃描電鏡成像中怎樣減少或校正樣品表面的充電效應

日期:2023-11-13

在掃描電鏡(SEM)成像中,樣品表面的充電效應可能導致圖像的失真和噪音。以下是一些減少或校正樣品表面充電效應的常見方法:

導電涂層: 在樣品表面涂覆導電性良好的薄層是常見的減少充電效應的方法。常見的導電涂層材料包括金屬(如金或鉑)或導電碳。這種涂層有助于在樣品表面形成導電路徑,減少表面電荷的積累。

金屬導電膠: 使用金屬導電膠連接樣品和支撐基底,以確保電荷可以流動。這種方法適用于一些不適合涂覆導電薄層的樣品。

樣品處理: 有時,通過在真空中或惰性氣氛中處理樣品,可以減少樣品表面的氧化和電荷積累。這種方法要求使用者在實驗室環(huán)境中謹慎操作,以避免樣品受到污染。

低電子能量: 使用低電子能量進行成像可以減少電子束與樣品之間的相互作用,從而減少表面充電效應的影響。然而,這可能會降低圖像的分辨率。

場發(fā)射電鏡: 堆積電荷問題在場發(fā)射電鏡中較少,因為它使用的是場發(fā)射電子而不是落在樣品表面的電子束。

電子束抑制器: 一些先進的掃描電鏡設備配備了電子束抑制器,可以通過向樣品表面施加反電場來抑制電子束的影響,減輕充電效應。

ZEM18臺式掃描電鏡

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作者:澤攸科技